Samsung mengumumkan rencananya dalam bisnis semikonduktor pada sebuah konferensi di Amerika Serikat. Dia menunjukkan peta jalan yang menunjukkan transisi bertahap ke teknologi LPP 7nm (Low Power Plus), LPE 5nm (Low Power Early), LPE/LPP 4nm, dan teknologi Gate-All-Around Early/Plus 3nm.
Raksasa Korea Selatan ini akan memulai produksi teknologi LPP 7nm, yang akan menggunakan litografi EUV, pada paruh kedua tahun depan, sementara pada saat yang sama saingannya TSMC ingin memulai produksi dengan proses 7nm+ yang lebih baik dan memulai produksi berisiko dengan proses 5nm. .
Samsung akan mulai memproduksi chipset dengan proses LPE 5nm pada akhir tahun 2019 dan proses LPE/LPP 4nm pada tahun 2020. Teknologi 4nm inilah yang akan menjadi teknologi terakhir yang akan menggunakan transistor FinFET. Baik proses 5nm maupun 4nm diharapkan dapat mengurangi ukuran chipset, namun pada saat yang sama meningkatkan kinerja dan mengurangi konsumsi.
Dimulai dengan teknologi 3nm, perusahaan akan beralih ke arsitektur MBCFET (Multi Bridge Channel FET) GAA (Gate All Around). Jika semuanya berjalan sesuai rencana, chipset tersebut seharusnya diproduksi pada tahun 3 menggunakan proses 2022nm.
