Samsung Electronics mengumumkan bahwa mereka telah memulai produksi massal modul memori DDR4 tercanggih dengan ukuran 8 Gb, dan bersama-sama dengan mereka telah memulai produksi modul RAM DDR32 4 GB pertama yang ditujukan untuk server perusahaan. RAM baru ini diproduksi menggunakan proses manufaktur 20nm baru, yang merupakan proses yang sama yang digunakan untuk memproduksi prosesor seluler tercanggih sekalipun saat ini. Samsung mengklaim bahwa modul memori ini memenuhi semua persyaratan kinerja tinggi, kepadatan tinggi, dan penghematan energi di server korporat generasi berikutnya.
Selain itu, dengan modul DDR8 4Gb yang baru, Samsung menyelesaikan seluruh jajaran modul DRAM yang diproduksi menggunakan proses manufaktur 20 nm. Saat ini, seri ini mencakup LPDDR6 3Gb untuk perangkat seluler dan modul DDR4 3Gb untuk PC. Kemudian, seperti disebutkan di atas, Samsung mulai memproduksi modul memori RDIMM 32 GB yang menawarkan kecepatan transfer 2 Mbps per pin, yang mewakili peningkatan kinerja sebesar 400% jika dibandingkan dengan kecepatan transfer memori DDR29 server sebesar 1 Mbps. Namun kemampuan teknologi ini tidak berhenti di angka 866 GB dan Samsung telah menyatakan bahwa dengan menggunakan teknologi 3D TSV dimungkinkan untuk mengembangkan modul memori hingga 32 GB. Keuntungan dari modul baru ini juga adalah konsumsi yang lebih rendah, karena chip DDR3 ini memerlukan 128 volt, yang saat ini merupakan voltase serendah mungkin.
//
//
*Sumber: Samsung
