Samsung hari ini memulai produksi massal modul DRAM DDR3 barunya menggunakan proses manufaktur 20 nanometer. Modul baru ini berkapasitas 4Gb, yakni 512MB. Namun, memori yang tersedia pada masing-masing modul bukanlah fitur utamanya. Kemajuannya justru terletak pada penggunaan proses produksi baru, yang menghasilkan konsumsi energi hingga 25% lebih rendah dibandingkan proses lama berukuran 25 nanometer.
Peralihan ke teknologi 20nm juga merupakan langkah terakhir yang memisahkan perusahaan dari memulai produksi modul memori menggunakan proses 10nm. Teknologi yang saat ini digunakan dalam modul-modul baru ini juga merupakan yang tercanggih di pasaran dan dapat digunakan tidak hanya dengan komputer tetapi juga dengan perangkat seluler. Untuk komputer, ini berarti Samsung kini mampu membuat chip dengan ukuran yang sama, namun dengan memori operasi yang jauh lebih besar. Samsung juga harus memodifikasi teknologi yang ada untuk dapat membuat chip lebih kecil dengan tetap mempertahankan metode manufaktur saat ini.
- Anda mungkin tertarik pada: Samsung telah mengembangkan memori DRAM seluler LPDDR8 4Gb pertama
